Ссылка: [ В России создадут революционную память – гибрид ОЗУ, флешки и винчестера ]( https://hi-tech.mail.ru/news/mfti-memory/ ) [ http://cs633124.vk.me/v633124500/2458b/2lut1-CcJeI.jpg ]( https://hi-tech.mail.ru/news/mfti-memory/ ) Вместительная и быстрая, она сможет хранить данные значительно дольше существующих аналогов.В России создадут революционную память – гибрид ОЗУ, флешки и винчестераРеволюционную технологию создания памяти разработали ученые Московского физико-технического института (МФТИ). Специалисты утверждают, что она будет обладать вместительностью винчестера, энергонезависимостью флешки и быстротой работы оперативной памяти, сообщает пресс-служба института.Сегнетоэлектрики и туннельные переходыСегнетоэлектрики – вещества, которые способны сохранять направление внешнего электрического поля, которое к ним прикладывается. Электрический ток сегнетоэлектрики не проводят.Туннельный эффект имеет квантовую природу и предполагает, что при очень малой толщине слоя сегнетоэлектрика электроны с определенной вероятностью могут проходить сквозь него. Если на электроды, которые примыкают к тонкому слою сегнетоэлектрика, подать напряжение, то можно записать данные в память. Считывание же выполняется путем измерения туннельного тока.Нанотехнологии в действииВ основе памяти нового типа – сегнетоэлектрические пленки на основе оксида гафния. Он использовался в создании микросхем и ранее, но сегнетоэлектрические свойства одной из модификаций материала были открыты всего несколько лет назад.Толщина туннельно-прозрачных пленок – всего 2,5 нм. Выращены они были на кремниевой подложке с применением методики, которая используется в производстве микропроцессоров, при поддержке специалистов из Университета Лозанны (Швейцария) и Университета Небраски (США).Ведущий автор исследования, заведующий лабораторией функциональных материалов и устройств для наноэлектроники МФТИ Андрей Зенкевич заявляет, что структуры на основе оксида гафния совместимы с кремниевой технологией. Это означает, что новая энергонезависимая память на базе российской разработки будет создана в ближайшем будущем.Преимущества новой памятиРазработчики подчеркивают, что память на основе сегнетоэлектрических туннельных переходов будет обладать крайне высокой скоростью чтения и записи, большой плотностью хранения информации и сниженным энергопотреблением. Фактически она сможет заменить используемую сегодня оперативную память, в которой данные без перезаписи могут храниться не более 0,1 с, при этом информация сможет храниться сколь угодно долго.#Hardware@thatislinux
Ссылка: http://vk.com/wall-33025660_199340