http://www.computerra.ru/106361/

[Технологии](http://www.computerra.ru/tech/)

автор: [Андрей Васильков](/author/angstroem/) 05 сентября 2014

Развитие электроники многие годы идёт по пути уменьшения размеров логических элементов и увеличения плотности их размещения. В августе [состоялся](http://newsroom.intel.com/community/intel_newsroom/blog/2014/08/11/intel-discloses-newest-microarchitecture-and-14-nanometer-manufacturing-process-technical-details) анонс процессоров Intel Broadwell, которые будут изготавливать по нормам 14 нм. Тайваньская компания TSMC [планирует](http://www.tsmc.com/english/dedicatedFoundry/technology/future_rd.htm) освоить 10 нм техпроцесс уже в следующем году. Однако лидеры полупроводниковой отрасли всё чаще говорят о назревшей необходимости найти замену кремнию. Для микросхем будущего требуются принципиально иные материалы и технологии их обработки. О новых успехах в этом направлении [рассказали](http://www.nature.com/nmat/journal/vaop/ncurrent/full/nmat4080.html) исследователи из Ратгерского университета и Лос-Аламосской национальной лаборатории.

В перспективной электронике логические элементы предполагается делать толщиной в несколько нанометров, а то и вовсе в один атом. Такие транзисторы пробовали создавать на базе графена, однако графен — полуметалл. Из-за этого у экспериментальных транзисторов наблюдаются слишком большие токи утечки. Принцип управления ими тоже придётся разрабатывать иной, поскольку в графеновых транзисторах ток течёт независимо от напряжения на затворе. К тому же, все они были получены в лабораторных условиях, которые крайне сложно адаптировать для промышленного производства.


Даже в графеновых транзисторах найдётся место кремнию (изображение: jameshedberg.com).

Как альтернативу графену многие годы рассматривали дисульфид молибдена. В прошлом году из него даже [удалось](http://www.tonylow.info/index_files/ncomms4087.PDF) создать функционирующие образцы микроэлектроники. К сожалению, надёжность этих схем была низкой, параметры – противоречивыми, а сама микроструктура – неустойчивой. В новом исследовании удалось найти ключ к решению этих проблем.

Основная странность в свойствах дисульфида молибдена заключалась в том, что в разных экспериментах измеренные значения сопротивления и подвижности электронов различались в десятки и сотни раз. Иными словами, что-то в самой методике измерения сильно влияло на это значение, искажая результат. Авторы предположили, что проблема заключалась в большом сопротивлении переходов между образцами дисульфида молибдена и металлических контактов. Избавится от них нельзя, так как в эксперименте при помощи этих контактов считывались значения, а в реальной схеме они используются как выводы.


Полевой транзистор на основе дисульфида графена (изображение: uml.edu).

Обычно в электронике такие проблемы решаются подбором легирующих добавок, но на микроуровне данный метод не сработает. При толщине логического элемента в одну молекулу остаётся единственный способ – менять конфигурацию самой молекулы. Во время этих попыток удалось выяснить, что в твёрдом агрегатном состоянии при стандартных условиях дисульфид молибдена может существовать в одной из двух фаз. В них немного различаются углы между атомами и длины связей. Этого оказывается достаточно для того, чтобы в фазе 2H дисульфид молибдена обладал свойствами полупроводника, а в фазе 1T – проявлял свойства, более характерные для металлов. Отсюда и разница в измерении характеристик у разных исследовательских групп.

В ходе дальнейшей работы авторам удалось найти химический процесс, который позволяет управлять фазовым состоянием дисульфида молибдена на участке образца. Применяя синтез с использованием литийорганических соединений, они добились перехода фрагмента образца в фазу 1T в месте будущего контакта. По своей структуре контакт стал полностью металлическим, а его сопротивление упало с 10 кОм до 200 Ом.


Два слоя дисульфида молибдена (изображение: printedelectronicsworld.com).

Новый образец было крайне легко интегрировать в электрическую схему. Электроны достигали дисульфида молибдена по надёжным металлическим контактам и далее пересекали фазу 2H так, как в любом другом полупроводнике. Вдохновившись результатом, авторы исследования сделали двадцать пять тестовых схем. Разброс их параметров был крайне низким, а поведение – полностью предсказуемым.

Благодаря этой работе полевые транзисторы из дисульфида молибдена могут появиться в следующих микросхемах уже через пять-десять лет. Вещество вновь стало главным кандидатом на роль заместителя кремния в будущих микросхемах. Изменение его фазы в районе контактных площадок – известный процесс, который не составит особого труда повторить в промышленных условиях.

Осталось выяснить, при каких условиях возможно обратное изменение фазы. Если оно не происходит спонтанно в типичном для электроники диапазоне рабочих температур, то дело осталось лишь за инвестициями в новое производство.